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Infineon MOSFET Canal N, PG HSOG-8 (TOLG) 165 A 80 V, 8 Broches

About The 8V, Série: OptiMOS-5, MPN: IAUS165N08S5N029ATMA1.Infineon MOSFET canal N, PG HSOG-8 (TOLG) 165 A 80 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,0029 O, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3

Infineon MOSFET canal N, PG HSOG-8 (TOLG) 165 A 80 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,0029 O, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3.8V, Série: OptiMOS-5, MPN: IAUS165N08S5N029ATMA1

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Infineon MOSFET Canal N, PG HSOG-8 (TOLG) 165 A 80 V, 8 Broches

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Specifications of Infineon MOSFET Canal N, PG HSOG-8 (TOLG) 165 A 80 V, 8 Broches

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Samtec Montage du câble de la prise IDC TCSD, pas de 2mm 30 AWG, Noir

Samtec Montage du câble de la prise IDC TCSD, pas de 2mm 30 AWG, Noir

Samtec Montage du câble de la prise IDC TCSD, pas de 2mm 30 AWG, Noir, Connecteur 1: IDC Tiger Eye, Type de câble en nappe: Plat, Connecteur 1 - Genre: Femelle, Avec connecteur / Sans connecteur: Avec connecteur, Longueur: 304.

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    Infineon MOSFET canal P, PQFN 3 x 3 39,6 A 30 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,018 O, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3.1V, Série: OptiMOS P3, MPN: BSZ180P03NS3GATMA1.

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    Infineon MOSFET canal P, PQFN 3 x 3 39,6 A 30 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,018 O, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3.

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