Infineon MOSFET canal P, PQFN 3 x 3 39,6 A 30 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,018 O, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3.1V, Série: OptiMOS P3, MPN: BSZ180P03NS3GATMA1
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Infineon MOSFET Canal P, PQFN 3 X 3 39,6 A 30 V, 8 Broches
Specifications of Infineon MOSFET Canal P, PQFN 3 X 3 39,6 A 30 V, 8 Broches | |
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