Nexperia MOSFET canal N, TO-220AB 100 A 80 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 4,1 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 306 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 16mm, MPN: PSMN4R4-80PS,127
Composants Electroniques & Energie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET
Nexperia MOSFET Canal N, TO-220AB 100 A 80 V, 3 Broches
Specifications of Nexperia MOSFET Canal N, TO-220AB 100 A 80 V, 3 Broches | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |