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Infineon MOSFET Canal P, SOT-223 430 MA 250 V, 3 Broches

About The 8 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 1.6mm, MPN: BSP317PH6327XTSA1

Infineon MOSFET canal P, SOT-223 430 mA 250 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Nombre de broche: 3 + Tab, Résistance Drain Source maximum: 5 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2V, Tension de seuil minimale de la grille: 1V, Dissipation de puissance maximum: 1.8 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 1.6mm, MPN: BSP317PH6327XTSA1

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Infineon MOSFET Canal P, SOT-223 430 MA 250 V, 3 Broches

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Specifications of Infineon MOSFET Canal P, SOT-223 430 MA 250 V, 3 Broches

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