Onsemi MOSFET Canal P, SOIC 3,5 A 20 V, 8 Broches
About The onsemi MOSFET canal P, SOIC 3,5 A 20 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 130 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Dissipation de puissance maximum: 2,5 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -8 V, +8 V, Longueur: 5mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: FDS9431A
onsemi MOSFET canal P, SOIC 3,5 A 20 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 130 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Dissipation de puissance maximum: 2,5 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -8 V, +8 V, Longueur: 5mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: FDS9431A
Composants Electroniques & Energie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET
Onsemi MOSFET Canal P, SOIC 3,5 A 20 V, 8 Broches
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Specifications of Onsemi MOSFET Canal P, SOIC 3,5 A 20 V, 8 Broches | |
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