onsemi MOSFET canal P, SOIC 3,5 A 20 V, 8 broches
onsemi MOSFET canal P, SOIC 3,5 A 20 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 130 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Dissipation de puissance maximum: 2,5 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -8 V, +8 V, Longueur: 5mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: FDS9431A.