Toshiba MOSFET canal N, SOP 100 A 60 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 2.3 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Matériau du transistor: Silicium, Série: TPH1R306PL, MPN: TPH1R306PL,L1Q(M
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Toshiba MOSFET Canal N, SOP 100 A 60 V, 8 Broches
Specifications of Toshiba MOSFET Canal N, SOP 100 A 60 V, 8 Broches | |
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