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Infineon MOSFET Canal N, D2PAK (TO-263) 30 A 55 V, 3 Broches

About The Infineon MOSFET canal N, D2PAK (TO-263) 30 A 55 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,035 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Série: OptiMOS, MPN: IPD26N06S2L35ATMA2

Infineon MOSFET canal N, D2PAK (TO-263) 30 A 55 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,035 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Série: OptiMOS, MPN: IPD26N06S2L35ATMA2

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