Onsemi MOSFET Canal N, TO-3PN 69 A 250 V, 3 Broches
About The onsemi MOSFET canal N, TO-3PN 69 A 250 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 41 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 480 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 15.8mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: FDA69N25
onsemi MOSFET canal N, TO-3PN 69 A 250 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 41 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 480 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 15.8mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: FDA69N25
Composants Electroniques & Energie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET
Onsemi MOSFET Canal N, TO-3PN 69 A 250 V, 3 Broches
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Specifications of Onsemi MOSFET Canal N, TO-3PN 69 A 250 V, 3 Broches | |
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