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Vishay MOSFET Canal N, PowerPAK SO-8 60 A 100 V, 8 Broches

About The Vishay MOSFET canal N, PowerPAK SO-8 60 A 100 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 10,5 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 1.5V, Dissipation de puissance maximum: 104 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 6

Vishay MOSFET canal N, PowerPAK SO-8 60 A 100 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 10,5 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 1.5V, Dissipation de puissance maximum: 104 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 6.25mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: SIR870ADP-T1-GE3

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Specifications of Vishay MOSFET Canal N, PowerPAK SO-8 60 A 100 V, 8 Broches

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