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STMicroelectronics MOSFET Canal N, A-247 18 A 650 V, 3 Broches

About The STMicroelectronics MOSFET canal N, A-247 18 A 650 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 190 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 150 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -25 V, +25 V, Longueur: 15.75mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STW24N60M2

STMicroelectronics MOSFET canal N, A-247 18 A 650 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 190 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 150 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -25 V, +25 V, Longueur: 15.75mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STW24N60M2

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STMicroelectronics MOSFET Canal N, A-247 18 A 650 V, 3 Broches

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