Toshiba MOSFET Canal N, A-220 31 A 600 V, 3 Broches

≤ 365 mW DFN1006BD-2.

5A, Type de montage: Montage enfichable, MPN: 3030160.

Microchip Mémoire EEPROM en série, 4Kbit, Série-2 fils, Série-I2C SOIC, 8 broches, 8bit, MPN: 24LC04BT-E/SN.

Eaton Interrupteur-sectionneur Moeller, 3P, 32A, 415V, Indice de protection: IP65, Gamme de puissance: 15KW, Accepte un cadenas: Oui, Couleur de la poignée: Rouge, jaune, Configuration de l'état normal: NO/NF, Série: Eaton Moeller, Longueur: 100mm, Largeur: 116mm, Profondeur: 180mm, Type de terminaison: Vis, MPN: 182419 P1-32/I2H/MBS/SVB/HI11.

Eaton Interrupteur-sectionneur Moeller, 3P, 25A, 415V, Indice de protection: IP65, Gamme de puissance: 11KW, Accepte un cadenas: Oui, Couleur de la poignée: Rouge, jaune, Configuration de l'état normal: NO/NF, Série: Eaton Moeller, Longueur: 100mm, Largeur: 116mm, Profondeur: 180mm, Type de terminaison: Vis, MPN: 182415 P1-25/I2H/MBS/SVB/HI11.

Systel Electronique Étiquette pré-imprimée, Type de fixation: Magnétique, Couleur du texte: Transparent, Diamètre: 63mm, MPN: SYS182.

≤ 365 mW DFN1006BD-2.

7V, Dissipation de puissance maximum: 230 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 10.Toshiba MOSFET canal N, A-220 31 A 600 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 88 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3.

≤ 365 mW DFN1006BD-2.≤ 365 mW DFN1006BD-2, Configuration de diode: Simple, Type de montage: CMS, Type de zener: Régulateur de tension, MPN: BZX8850S-C2V2-QYL Nexperia Diode Zener, 2.

7V, Dissipation de puissance maximum: 230 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 10.16mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: TK31E60W,S1VX(S.Toshiba MOSFET canal N, A-220 31 A 600 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 88 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3.