ROHM MOSFET canal P, SC-75 250 mA 30 V, 3 broches, Type de boîtier: SOT-416FL, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 2,4 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 1V, Dissipation de puissance maximum: 150 mW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Tension directe de la diode: 1.2V, MPN: RE1E002SPTCL
Composants Electroniques & Energie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET
ROHM MOSFET Canal P, SC-75 250 MA 30 V, 3 Broches
Specifications of ROHM MOSFET Canal P, SC-75 250 MA 30 V, 3 Broches | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |