Vishay MOSFET canal N, DPAK (TO-252) 19 A 600 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 201 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 156 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±30 V, Tension directe de la diode: 1.2V, MPN: SIHD186N60EF-GE3
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Vishay MOSFET Canal N, DPAK (TO-252) 19 A 600 V, 3 Broches
Specifications of Vishay MOSFET Canal N, DPAK (TO-252) 19 A 600 V, 3 Broches | |
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