Vishay MOSFET canal N, DPAK (TO-252) 4,4 A 850 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 1,35 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Série: E Series, MPN: SiHD5N80AE-GE3
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Vishay MOSFET Canal N, DPAK (TO-252) 4,4 A 850 V, 3 Broches
Specifications of Vishay MOSFET Canal N, DPAK (TO-252) 4,4 A 850 V, 3 Broches | |
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