Vishay MOSFET Canal N, PowerPAK SO-8L Double 20 A, 60 A, 6 Broches
About The Vishay MOSFET canal N, PowerPAK SO-8L double 20 A, 60 A, 6 broches, Tension Drain Source maximum: 40 V (canal 1), 40 V (canal 2), Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,0067 Ω (canal 2), 0,016 Ω (canal 1), Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2., Tension Grille Source maximum: ±20 V, Longueur: 5mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: SQJ208EP-T1_GE3
Vishay MOSFET canal N, PowerPAK SO-8L double 20 A, 60 A, 6 broches, Tension Drain Source maximum: 40 V (canal 1), 40 V (canal 2), Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,0067 Ω (canal 2), 0,016 Ω (canal 1), Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.3 (Channel 1) V, 2.4 (Channel 2) V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.3 (Channel 1) V, 1.4 (Channel 2) V, Dissipation de puissance maximum: 27 W, 48 W., Tension Grille Source maximum: ±20 V, Longueur: 5mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: SQJ208EP-T1_GE3
Composants Electroniques & Energie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET
Vishay MOSFET Canal N, PowerPAK SO-8L Double 20 A, 60 A, 6 Broches
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Specifications of Vishay MOSFET Canal N, PowerPAK SO-8L Double 20 A, 60 A, 6 Broches | |
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