Vishay MOSFET canal N, PowerPAK 1212-8SCD 60 A 25 V, 8 broches, Type de boîtier: PowerPak 1212-SCD, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 5 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.3V, Tension de seuil minimale de la grille: 1V, Dissipation de puissance maximum: 69,4 W, Configuration du transistor: Drain commun, Tension Grille Source maximum: -12 V, +16 V, Hauteur: 0.75mm, MPN: SISF02DN-T1-GE3
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Vishay MOSFET Canal N, PowerPAK 1212-8SCD 60 A 25 V, 8 Broches
Specifications of Vishay MOSFET Canal N, PowerPAK 1212-8SCD 60 A 25 V, 8 Broches | |
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