Vishay MOSFET canal N, SOT-23 8 A 40 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,036 O, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Série: TrenchFET, MPN: SQ2318AES-T1_GE3
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Vishay MOSFET Canal N, SOT-23 8 A 40 V, 3 Broches
Specifications of Vishay MOSFET Canal N, SOT-23 8 A 40 V, 3 Broches | |
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