STMicroelectronics Transistor MOSFET canal N, D2PAK (TO-263) 13 A, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 280 m Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.75V, Tension de seuil minimale de la grille: 3.25V, Dissipation de puissance maximum: 110 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±25 V, Tension directe de la diode: 1.6V, Hauteur: 4.37mm, MPN: STB18N60M6
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STMicroelectronics Transistor MOSFET Canal N, D2PAK (TO-263) 13 A, 3 Broches
Specifications of STMicroelectronics Transistor MOSFET Canal N, D2PAK (TO-263) 13 A, 3 Broches | |
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