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Infineon MOSFET Canal N, DPAK (TO-252) 50 A 80 V, 3 Broches

About The Infineon MOSFET canal N, DPAK (TO-252) 50 A 80 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,0132 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Matériau du transistor: Silicium, Série: IPD, MPN: IPD50N08S413ATMA1

Infineon MOSFET canal N, DPAK (TO-252) 50 A 80 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,0132 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Matériau du transistor: Silicium, Série: IPD, MPN: IPD50N08S413ATMA1

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Specifications of Infineon MOSFET Canal N, DPAK (TO-252) 50 A 80 V, 3 Broches

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    • ABB Relais d'interface R600, 230V c.a.

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    a., 1 RT, montage Rail DIN, Courant de charge: 8A, MPN: 064551320 ABB Relais d'interface R600, 230V c., 1 RT, montage Rail DIN. / V c.

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    Yageo Résistance CMS 39kΩ, boitier 0402 (1005M) ±0.1% 0.0625W

    1% 0.0625W, MPN: RT0402BRD0739KL.Yageo Résistance CMS 39kΩ, boitier 0402 (1005M) ±0.

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    • Infineon MOSFET canal P, DPAK (TO-252) 90 A 30 V, 3 broches

    Infineon MOSFET canal P, DPAK (TO-252) 90 A 30 V, 3 broches

    0V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Matériau du transistor: Silicium, Série: IPD, MPN: IPD90P03P404ATMA2.Infineon MOSFET canal P, DPAK (TO-252) 90 A 30 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,0045 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.

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    0V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Matériau du transistor: Silicium, Série: IPD, MPN: IPD90P03P404ATMA2.Infineon MOSFET canal P, DPAK (TO-252) 90 A 30 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,0045 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.

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