Infineon MOSFET canal P, DPAK (TO-252) 90 A 30 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,0045 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.0V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Matériau du transistor: Silicium, Série: IPD, MPN: IPD90P03P404ATMA2
Composants Electroniques & Energie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET
Infineon MOSFET Canal P, DPAK (TO-252) 90 A 30 V, 3 Broches
Specifications of Infineon MOSFET Canal P, DPAK (TO-252) 90 A 30 V, 3 Broches | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |