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Infineon MOSFET Canal P, DPAK (TO-252) 90 A 30 V, 3 Broches

About The Infineon MOSFET canal P, DPAK (TO-252) 90 A 30 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,0045 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.0V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Matériau du transistor: Silicium, Série: IPD, MPN: IPD90P03P404ATMA2

Infineon MOSFET canal P, DPAK (TO-252) 90 A 30 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,0045 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.0V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Matériau du transistor: Silicium, Série: IPD, MPN: IPD90P03P404ATMA2

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