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Taiwan Semiconductor

Taiwan Semiconductor Diode Traversante, 3A, 200V, DO-201AD

About The 6mm, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 150A, MPN: BY251G.Taiwan Semiconductor Diode traversante, 3A, 200V, DO-201AD, Configuration de diode: Simple, Type diode: Jonction au silicium, Chute minimale de tension directe: 1V, Diamètre: 5

Taiwan Semiconductor Diode traversante, 3A, 200V, DO-201AD, Configuration de diode: Simple, Type diode: Jonction au silicium, Chute minimale de tension directe: 1V, Diamètre: 5.6mm, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 150A, MPN: BY251G

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Taiwan Semiconductor Diode Traversante, 3A, 200V, DO-201AD

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Specifications of Taiwan Semiconductor Diode Traversante, 3A, 200V, DO-201AD

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