Fairchild Semiconductor MOSFET Canal N, SOT-223 200 MA 800 V, 3 + Tab Broches

7mm x 50m Vert en Polyethylene, Application: Adapté aux chaînes d'énergie dans des applications à taux de cycle élevés, Série: PEN, Numéro de modèle (p): 551470, MPN: PEN-8X1,25-GN.

Festo Mamelon réducteur NPFC vers M5 G 1/8 Mâle 1 x G 1/8, entrée 1 x, Type de connexion: Fileté, Pression de fonctionnement maximum: 50 bar, Numéro de modèle (p): 8030307, MPN: NPFC-R-G18-M5-MF.

Molveno Bouton-poussoir, Verrouillable, DPDT, Montage panneau, Illuminé: Non, Type de bouton-poussoir: Rectangulaire, Couleur de bouton-poussoir: Noir, Courant de contact: 16 A @ 250 V c.a.

5A 510 kHz, Régulation en ligne: 0,4%, Régulation de charge: 0,5 %.Texas Instruments Module pour alimentation DC-DC TPSM84205EAB 1.

Double, PDIP (N) Précision 4 14 broches, Produit gain bande typique: 2.

Molveno Interrupteur à bascule unipolaire On-None-Off,, 16 A, Configuration de contact: SPST, Largeur de découpe panneau: 11mm, Hauteur de découpe panneau: 30mm, Couleur de l'actionneur: Noir, Type de montage: Montage panneau, Type de terminaison: Connexion rapide, Tension nominale c.: 250V, Forme de l'actionneur: Rectangulaire, Taille de découpe panneau: 30 x 11mm, Matériau du boîtier: Plastique, Température maximale d'utilisation: +125°C, Durée de vie mécanique: 50000Operations, MPN: SX81114811000000.

Fairchild Semiconductor MOSFET canal N, SOT-223 200 mA 800 V, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 20 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 2,1 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Hauteur: 1.7mm, Longueur: 6.7mm, MPN: FQT1N80TF_WS.

onsemi MOSFET canal N, TO-220F 8 A 900 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 1,4 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 68 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 10.36mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: FQPF9N90CT.

7mm, MPN: FQT1N80TF_WS.7mm, Longueur: 6.

onsemi MOSFET canal N, TO-220F 8 A 900 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 1,4 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 68 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 10.36mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: FQPF9N90CT.