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Infineon MOSFET Canal N, TDSON 20 A 60 V, 8 Broches

About The Infineon MOSFET canal N, TDSON 20 A 60 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,026 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.2V, Série: OptiMOS, MPN: IPG20N06S4L26AATMA1

Infineon MOSFET canal N, TDSON 20 A 60 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,026 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.2V, Série: OptiMOS, MPN: IPG20N06S4L26AATMA1

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Specifications of Infineon MOSFET Canal N, TDSON 20 A 60 V, 8 Broches

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