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Vishay Diode TVS Bidirectionnel, Claq. 37.1V, 53.9V DO-204AL, 2 Broches, Dissip. 400W

About The 37.Vishay Diode TVS Bidirectionnel, claq

400W, Configuration de diode: Simple, Type de montage: Traversant, Tension inverse maximum à l'état bloqué: 33.3V, Courant d'impulsion crête maximum: 7.4A, Protection ESD: Oui, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Dimensions: 2.7 (Dia.) x 5.2mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: BZW04-33B-E3/54 37.1V, 53.9V DO-204AL, 2 broches, dissip. Vishay Diode TVS Bidirectionnel, claq.

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Specifications of Vishay Diode TVS Bidirectionnel, Claq. 37.1V, 53.9V DO-204AL, 2 Broches, Dissip. 400W

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WeEn Semiconductors Co., Ltd TRIAC, 600V, 8A, TO-220AB, 10mA, 3 broches
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    • Vishay Diode CMS, 30A, 600V, TO-263AC

    Vishay Diode CMS, 30A, 600V, TO-263AC

    Vishay Diode CMS, 30A, 600V, TO-263AC, Configuration de diode: Cathode commune, Type de redressement: Usage général, Type diode: Diode épitaxiale à récupération rapide, Chute minimale de tension directe: 1.25V, Technologie de diode: Jonction au silicium, Temps de recouvrement inverse crête: 150ns, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 300A, MPN: VS-30CDU06-M3/I.

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    • Nexperia Transistor, PNP Simple, -100 mA, -45 V, SOT-23 (TO-236AB), 3 broches

    Nexperia Transistor, PNP Simple, -100 mA, -45 V, SOT-23 (TO-236AB), 3 broches

    4mm, Hauteur: 1mm, MPN: BCW70.Nexperia Transistor, PNP Simple, -100 mA, -45 V, SOT-23 (TO-236AB), 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 250 mW, Gain en courant DC minimum: 215, Tension Collecteur Base maximum: 50 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 1 x 3 x 1.

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    Nexperia Transistor, PNP Simple, -100 mA, -45 V, SOT-23 (TO-236AB), 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 250 mW, Gain en courant DC minimum: 215, Tension Collecteur Base maximum: 50 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 1 x 3 x 1.4mm, Hauteur: 1mm, MPN: BCW70.

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