Nexperia Transistor, PNP Simple, -100 MA, -45 V, SOT-23 (TO-236AB), 3 Broches

7 → 3.

WeEn Semiconductors Co.

3 x 4.4mm, Longueur: 10.7mm, Température d'utilisation maximum: +125 °C, MPN: BT137-600D,127.3mm, Largeur: 4.

25V, Technologie de diode: Jonction au silicium, Temps de recouvrement inverse crête: 150ns, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 300A, MPN: VS-30CDU06-M3/I.Vishay Diode CMS, 30A, 600V, TO-263AC, Configuration de diode: Cathode commune, Type de redressement: Usage général, Type diode: Diode épitaxiale à récupération rapide, Chute minimale de tension directe: 1.

86 x 8.86mm, MPN: 2W02G-E4/51.

Nexperia Transistor, PNP Simple, -100 mA, -45 V, SOT-23 (TO-236AB), 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 250 mW, Gain en courant DC minimum: 215, Tension Collecteur Base maximum: 50 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 1 x 3 x 1.4mm, Hauteur: 1mm, MPN: BCW70.

Nexperia Transistor, PNP Simple, -100 mA, -45 V, SOT-23 (TO-236AB), 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 250 mW, Gain en courant DC minimum: 215, Tension Collecteur Base maximum: 50 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 1 x 3 x 1.4mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BCW70.

37.9V DO-204AL, 2 broches, dissip. 400W 400W, Configuration de diode: Simple, Type de montage: Traversant, Tension inverse maximum à l'état bloqué: 33.

Nexperia Transistor, PNP Simple, -100 mA, -45 V, SOT-23 (TO-236AB), 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 250 mW, Gain en courant DC minimum: 215, Tension Collecteur Base maximum: 50 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 1 x 3 x 1.

7 (Dia.4A, Protection ESD: Oui, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Dimensions: 2.1V, 53.