onsemi MOSFET canal N, SOT-223 5,6 A 100 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 375 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 1.4V, Dissipation de puissance maximum: 10,42 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 6.7mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: FDT1600N10ALZ
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Onsemi MOSFET Canal N, SOT-223 5,6 A 100 V, 3 Broches
Specifications of Onsemi MOSFET Canal N, SOT-223 5,6 A 100 V, 3 Broches | |
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