IXYS MOSFET canal N, A-220 7 A 800 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 1,44 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Dissipation de puissance maximum: 200 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Hauteur: 9.15mm, Longueur: 10.66mm, MPN: IXFP7N80P
Composants Electroniques & Energie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET
IXYS MOSFET Canal N, A-220 7 A 800 V, 3 Broches
Specifications of IXYS MOSFET Canal N, A-220 7 A 800 V, 3 Broches | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |