reorder
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New
Composants Electroniques & Energie et Connecteurs
Semi-conducteurs
Composants discrets
IGBT
Infineon

Infineon Module IGBT, FS380R12A6T4BBPSA1,, 760 A, 1200 V, AG-HYBRIDD-1, 33 Broches

About The Infineon Module IGBT,, 760 A, 1200 V, AG-HYBRIDD-1, 33 broches, MPN: FS380R12A6T4BBPSA1

Infineon Module IGBT,, 760 A, 1200 V, AG-HYBRIDD-1, 33 broches, MPN: FS380R12A6T4BBPSA1

Composants Electroniques & Energie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > IGBT

Infineon Module IGBT, FS380R12A6T4BBPSA1,, 760 A, 1200 V, AG-HYBRIDD-1, 33 Broches

Composants Electroniques & Energie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > IGBT

Specifications of Infineon Module IGBT, FS380R12A6T4BBPSA1,, 760 A, 1200 V, AG-HYBRIDD-1, 33 Broches

Category
Instockinstock

Last Updated

Infineon Module IGBT, FS380R12A6T4BBPSA1,, 760 A, 1200 V, AG-HYBRIDD-1, 33 Broches
More Varieties
Composants Electroniques & Energie et Connecteurs
Semi-conducteurs
Composants discrets

Rating :- 9.6 /10
Votes :- 8
ABB Interrupteur à bascule

ABB Interrupteur à bascule

ABB Interrupteur à bascule, Indice de protection: IP66, Illuminé: Non, Type d'actionneur: A bascule, MPN: HW052255.

  • Automatisme Industriel & Contrôle de process & Electrique et Câbles
  • Interrupteurs
  • Interrupteurs à levier et interrupteurs à glissière
  • Interrupteurs à levier
  • ABB
    • Infineon MOSFET canal P, A-220 120 A 40 V, 3 broches

    Infineon MOSFET canal P, A-220 120 A 40 V, 3 broches

    2V, Matériau du transistor: Silicium, Série: IPP, MPN: IPP120P04P4L03AKSA2.Infineon MOSFET canal P, A-220 120 A 40 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 0,0034 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.

  • Composants Electroniques & Energie et Connecteurs
  • Semi-conducteurs
  • Composants discrets
  • Transistors MOSFET
  • Infineon
    • Infineon MOSFET canal N, SuperSO8 5 x 6 50 A 40 V, 8 broches

    Infineon MOSFET canal N, SuperSO8 5 x 6 50 A 40 V, 8 broches

    Infineon MOSFET canal N, SuperSO8 5 x 6 50 A 40 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,0058 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3.4V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Matériau du transistor: Silicium, Série: IPC, MPN: IPC50N04S55R8ATMA1.

  • Composants Electroniques & Energie et Connecteurs
  • Semi-conducteurs
  • Composants discrets
  • Transistors MOSFET
  • Infineon
    • Infineon MOSFET canal N, SuperSO8 5 x 6 50 A 40 V, 8 broches

    Infineon MOSFET canal N, SuperSO8 5 x 6 50 A 40 V, 8 broches

    4V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Matériau du transistor: Silicium, Série: IPC, MPN: IPC50N04S55R8ATMA1.Infineon MOSFET canal N, SuperSO8 5 x 6 50 A 40 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,0058 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3.

  • Composants Electroniques & Energie et Connecteurs
  • Semi-conducteurs
  • Composants discrets
  • Transistors MOSFET
  • Infineon
    • Yageo Résistance CMS 200kΩ, boitier 0402 (1005M) ±0.1% 0.0625W

    Yageo Résistance CMS 200kΩ, boitier 0402 (1005M) ±0.1% 0.0625W

    0625W, Technologie: Film couche mince, MPN: RT0402BRD07200KL.Yageo Résistance CMS 200kΩ, boitier 0402 (1005M) ±0.1% 0.

  • Composants Electroniques & Energie et Connecteurs
  • Passifs
  • Résistances
  • Résistances à montage en surface
  • Yageo
    • Infineon MOSFET canal N, SuperSO8 5 x 6 100 A 40 V, 8 broches

    Infineon MOSFET canal N, SuperSO8 5 x 6 100 A 40 V, 8 broches

    Infineon MOSFET canal N, SuperSO8 5 x 6 100 A 40 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,0019 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2V, Matériau du transistor: Silicium, Série: IPC, MPN: IPC100N04S5L1R9ATMA1.

  • Composants Electroniques & Energie et Connecteurs
  • Semi-conducteurs
  • Composants discrets
  • Transistors MOSFET
  • Infineon
    • Infineon Module IGBT, FS380R12A6T4BBPSA1,, 760 A, 1200 V, AG-HYBRIDD-1, 33 broches

    Infineon Module IGBT, FS380R12A6T4BBPSA1,, 760 A, 1200 V, AG-HYBRIDD-1, 33 broches

    Infineon Module IGBT,, 760 A, 1200 V, AG-HYBRIDD-1, 33 broches, MPN: FS380R12A6T4BBPSA1.

  • Composants Electroniques & Energie et Connecteurs
  • Semi-conducteurs
  • Composants discrets
  • IGBT
  • Infineon
    • Yageo Résistance CMS série RC 221Ω, boitier 1206 (3216M) ±1% 0.5 W, 0.25 W

    Yageo Résistance CMS série RC 221Ω, boitier 1206 (3216M) ±1% 0.5 W, 0.25 W

    Yageo Résistance CMS série RC 221Ω, boitier 1206 (3216M) ±1% 0.25 W, MPN: RC1206FR-07221RL.

  • Composants Electroniques & Energie et Connecteurs
  • Passifs
  • Résistances
  • Résistances à montage en surface
  • Yageo
    • Infineon Module IGBT, FS380R12A6T4BBPSA1,, 760 A, 1200 V, AG-HYBRIDD-1, 33 broches

    Infineon Module IGBT, FS380R12A6T4BBPSA1,, 760 A, 1200 V, AG-HYBRIDD-1, 33 broches

    Infineon Module IGBT,, 760 A, 1200 V, AG-HYBRIDD-1, 33 broches, MPN: FS380R12A6T4BBPSA1.

  • Composants Electroniques & Energie et Connecteurs
  • Semi-conducteurs
  • Composants discrets
  • IGBT
  • Infineon
    • Yageo Résistance CMS série RC 221Ω, boitier 1206 (3216M) ±1% 0.5 W, 0.25 W

    Yageo Résistance CMS série RC 221Ω, boitier 1206 (3216M) ±1% 0.5 W, 0.25 W

    Yageo Résistance CMS série RC 221Ω, boitier 1206 (3216M) ±1% 0.

  • Composants Electroniques & Energie et Connecteurs
  • Passifs
  • Résistances
  • Résistances à montage en surface
  • Yageo