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Infineon MOSFET Canal N, SOT-223 2,8 A 55 V, 3 Broches

About The Infineon MOSFET canal N, SOT-223 2,8 A 55 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 280 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2V, Tension de seuil minimale de la grille: 1V, Dissipation de puissance maximum: 2,1 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -16 V, +16 V, Longueur: 6.7mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IRLL014NTRPBF

Infineon MOSFET canal N, SOT-223 2,8 A 55 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 280 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2V, Tension de seuil minimale de la grille: 1V, Dissipation de puissance maximum: 2,1 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -16 V, +16 V, Longueur: 6.7mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IRLL014NTRPBF

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Specifications of Infineon MOSFET Canal N, SOT-223 2,8 A 55 V, 3 Broches

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