STMicroelectronics MOSFET Canal N, TO-220FP 3 A 800 V, 3 Broches
About The STMicroelectronics MOSFET canal N, TO-220FP 3 A 800 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 2,5 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 20 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 10.4mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STF4N80K5
STMicroelectronics MOSFET canal N, TO-220FP 3 A 800 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 2,5 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 20 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 10.4mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STF4N80K5
Composants Electroniques & Energie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET
STMicroelectronics MOSFET Canal N, TO-220FP 3 A 800 V, 3 Broches
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Specifications of STMicroelectronics MOSFET Canal N, TO-220FP 3 A 800 V, 3 Broches | |
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