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Vishay Diode Traversante, 10A, 200V, TO-220F

About The 25V, Technologie de diode: Jonction au silicium, Temps de recouvrement inverse crête: 25ns, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 55A, MPN: BYQ28EF-200-E3/45.Vishay Diode traversante, 10A, 200V, TO-220F, Configuration de diode: Cathode commune, Type de redressement: Usage général, Type diode: Redresseurs ultrarapides, Nombre de broches: 3, Chute minimale de tension directe: 1

Vishay Diode traversante, 10A, 200V, TO-220F, Configuration de diode: Cathode commune, Type de redressement: Usage général, Type diode: Redresseurs ultrarapides, Nombre de broches: 3, Chute minimale de tension directe: 1.25V, Technologie de diode: Jonction au silicium, Temps de recouvrement inverse crête: 25ns, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 55A, MPN: BYQ28EF-200-E3/45

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Vishay Diode Traversante, 10A, 200V, TO-220F

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Specifications of Vishay Diode Traversante, 10A, 200V, TO-220F

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