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Infineon MOSFET, Canale N, 99 MΩ, 37,9 A, TO-220, Su Foro

About The Infineon MOSFET, canale N, 99 mΩ, 37,9 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Tensione di soglia gate minima: 3

Infineon MOSFET, canale N, 99 mΩ, 37,9 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Tensione di soglia gate minima: 3.5V, Dissipazione di potenza massima: 278 W, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 10.36mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IPP60R099P6XKSA1

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