Infineon MOSFET, canale N, 99 mΩ, 37,9 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Tensione di soglia gate minima: 3.5V, Dissipazione di potenza massima: 278 W, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 10.36mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IPP60R099P6XKSA1
Componenti Elettronici e Connettori > Semiconduttori > Discreti > MOSFET
Infineon MOSFET, Canale N, 99 MΩ, 37,9 A, TO-220, Su Foro
Specifications of Infineon MOSFET, Canale N, 99 MΩ, 37,9 A, TO-220, Su Foro | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |
Last Updated