onsemi MOSFET, canale N, 13 mΩ, 50 A, DFN, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2V, Tensione di soglia gate minima: 1.2V, Dissipazione di potenza massima: 46 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, MPN: NTMFS5C673NLT1G
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Onsemi MOSFET, Canale N, 13 MΩ, 50 A, DFN, Montaggio Superficiale
Specifications of Onsemi MOSFET, Canale N, 13 MΩ, 50 A, DFN, Montaggio Superficiale | |
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