Infineon MOSFET, canale N, 12,3 mΩ, 90 A, TO-252, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 100 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3.5V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 150 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: 20 V, Lunghezza: 6.73mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: IPD068N10N3GATMA1
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Infineon MOSFET, Canale N, 12,3 MΩ, 90 A, TO-252, Montaggio Superficiale
Specifications of Infineon MOSFET, Canale N, 12,3 MΩ, 90 A, TO-252, Montaggio Superficiale | |
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