STMicroelectronics MOSFET, canale N, 900 mΩ, 9 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 800 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 160 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 15.75mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STW10NK80Z
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STMicroelectronics MOSFET, Canale N, 900 MΩ, 9 A, TO-247, Su Foro
Specifications of STMicroelectronics MOSFET, Canale N, 900 MΩ, 9 A, TO-247, Su Foro | |
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