Renesas Electronics MOSFET, canale N, 4,6 Ω, 4 A, TO-3PN, Su foro, Tensione massima drain source: 1500 V, Modalità del canale: Enhancement, Materiale del transistor: Silicone, MPN: 2SK1835-E
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Renesas Electronics MOSFET, Canale N, 4,6 Ω, 4 A, TO-3PN, Su Foro
Specifications of Renesas Electronics MOSFET, Canale N, 4,6 Ω, 4 A, TO-3PN, Su Foro | |
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