Infineon MOSFET, canale N, 2 mΩ, 120 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 75 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3.8V, Tensione di soglia gate minima: 2.3V, Dissipazione di potenza massima: 300 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.31mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: IPB020NE7N3GATMA1
Componenti Elettronici e Connettori > Semiconduttori > Discreti > MOSFET
Infineon MOSFET, Canale N, 2 MΩ, 120 A, D2PAK (TO-263), Montaggio Superficiale
Specifications of Infineon MOSFET, Canale N, 2 MΩ, 120 A, D2PAK (TO-263), Montaggio Superficiale | |
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