Infineon MOSFET, canale N, 110 mΩ, 17 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 55 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2V, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 45 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -16 V, +16 V, Lunghezza: 6.73mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: IRLR024NTRLPBF
Componenti Elettronici e Connettori > Semiconduttori > Discreti > MOSFET
Infineon MOSFET, Canale N, 110 MΩ, 17 A, DPAK (TO-252), Montaggio Superficiale
Specifications of Infineon MOSFET, Canale N, 110 MΩ, 17 A, DPAK (TO-252), Montaggio Superficiale | |
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