reorder
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New
Componenti Elettronici e Connettori
Semiconduttori
Discreti
MOSFET
Infineon

Infineon MOSFET, Canale N, 110 MΩ, 17 A, DPAK (TO-252), Montaggio Superficiale

About The 73mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: IRLR024NTRLPBF.Infineon MOSFET, canale N, 110 mΩ, 17 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 55 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2V, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 45 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -16 V, +16 V, Lunghezza: 6

Infineon MOSFET, canale N, 110 mΩ, 17 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 55 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2V, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 45 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -16 V, +16 V, Lunghezza: 6.73mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: IRLR024NTRLPBF

Componenti Elettronici e Connettori > Semiconduttori > Discreti > MOSFET

Infineon MOSFET, Canale N, 110 MΩ, 17 A, DPAK (TO-252), Montaggio Superficiale

Componenti Elettronici e Connettori > Semiconduttori > Discreti > MOSFET

Specifications of Infineon MOSFET, Canale N, 110 MΩ, 17 A, DPAK (TO-252), Montaggio Superficiale

Category
Instockinstock

Last Updated

Infineon MOSFET, Canale N, 110 MΩ, 17 A, DPAK (TO-252), Montaggio Superficiale
More Varieties

Rating :- 9.37 /10
Votes :- 7