onsemi MOSFET, canale N, 11,7 mΩ, 55 A, MicroFET 2 x 2, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 40 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 3.3mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: FDMC86520L
Componenti Elettronici e Connettori > Semiconduttori > Discreti > MOSFET
Onsemi MOSFET, Canale N, 11,7 MΩ, 55 A, MicroFET 2 X 2, Montaggio Superficiale
Specifications of Onsemi MOSFET, Canale N, 11,7 MΩ, 55 A, MicroFET 2 X 2, Montaggio Superficiale | |
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