onsemi MOSFET, canale N, 4,2 mΩ, 83 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale
onsemi MOSFET, canale N, 4,2 mΩ, 83 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 56 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±20 V, Numero di elementi per chip: 1, Tensione diretta del diodo: 1.