IXYS MOSFET, canale N, 24 mΩ, 115 A, SOT-227, Montaggio a vite, Tensione massima drain source: 300 V, Tipo di package: SOT-227B, Tipo di montaggio: Montaggio a pannello, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Dissipazione di potenza massima: 700 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 9.6mm, Lunghezza: 38.2mm, MPN: IXFN140N30P
Componenti Elettronici e Connettori > Semiconduttori > Discreti > MOSFET
IXYS MOSFET, Canale N, 24 MΩ, 115 A, SOT-227, Montaggio A Vite
Specifications of IXYS MOSFET, Canale N, 24 MΩ, 115 A, SOT-227, Montaggio A Vite | |
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