STMicroelectronics IGBT, VCE 420 V, IC 30 A, Canale N, DPAK (TO-252)
About The STMicroelectronics IGBT, VCE 420 V, IC 30 A, canale N, DPAK (TO-252), Tensione massima gate emitter: 16V, Dissipazione di potenza massima: 125 W, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Velocità di switching: 1MHz, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 6.6 x 6
STMicroelectronics IGBT, VCE 420 V, IC 30 A, canale N, DPAK (TO-252), Tensione massima gate emitter: 16V, Dissipazione di potenza massima: 125 W, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Velocità di switching: 1MHz, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 6.6 x 6.2 x 2.4mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: STGD18N40LZT4
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STMicroelectronics IGBT, VCE 420 V, IC 30 A, Canale N, DPAK (TO-252)
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Specifications of STMicroelectronics IGBT, VCE 420 V, IC 30 A, Canale N, DPAK (TO-252) | |
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