Infineon IGBT, VCE 1200 V, IC 150 A, canale N, Modulo
Infineon IGBT, VCE 1200 V, IC 150 A, canale N, Modulo, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 20 mW, Numero di transistor: 6, Configurazione: Serie, Tipo di montaggio: Montaggio a telaio, Numero pin: 32, Configurazione transistor: Confezione da sei, MPN: FS150R12N2T7BPSA1.