STMicroelectronics IGBT, VCE 650 V, IC 30 A, Canale N, TO-247
About The STMicroelectronics IGBT, VCE 650 V, IC 30 A, canale N, TO-247, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 260 W, Numero di transistor: 1, Configurazione transistor: Emettitore comune, MPN: STGWA30HP65FB
STMicroelectronics IGBT, VCE 650 V, IC 30 A, canale N, TO-247, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 260 W, Numero di transistor: 1, Configurazione transistor: Emettitore comune, MPN: STGWA30HP65FB
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STMicroelectronics IGBT, VCE 650 V, IC 30 A, Canale N, TO-247
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Specifications of STMicroelectronics IGBT, VCE 650 V, IC 30 A, Canale N, TO-247 | |
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