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ROHM IGBT, VCE 650 V, IC 50 A, Canale N, TO-247N

About The ROHM IGBT, VCE 650 V, IC 50 A, canale N, TO-247N, Tensione massima gate emitter: ±30V, Dissipazione di potenza massima: 254 W, Numero di transistor: 1, Configurazione: Single, Tipo di montaggio: Su foro, Configurazione transistor: Emettitore comune, MPN: RGW00TS65DHRC11

ROHM IGBT, VCE 650 V, IC 50 A, canale N, TO-247N, Tensione massima gate emitter: ±30V, Dissipazione di potenza massima: 254 W, Numero di transistor: 1, Configurazione: Single, Tipo di montaggio: Su foro, Configurazione transistor: Emettitore comune, MPN: RGW00TS65DHRC11

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Specifications of ROHM IGBT, VCE 650 V, IC 50 A, Canale N, TO-247N

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