ROHM IGBT, VCE 650 V, IC 50 A, canale N, TO-247N, Tensione massima gate emitter: ±30V, Dissipazione di potenza massima: 254 W, Numero di transistor: 1, Configurazione: Single, Tipo di montaggio: Su foro, Configurazione transistor: Emettitore comune, MPN: RGW00TS65DHRC11
Componenti Elettronici e Connettori > Semiconduttori > Discreti > IGBT
ROHM IGBT, VCE 650 V, IC 50 A, Canale N, TO-247N
Specifications of ROHM IGBT, VCE 650 V, IC 50 A, Canale N, TO-247N | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |
Last Updated