onsemi Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 75 A, Q0PACK - contenitore 180AB (senza piombo e alogenuro), Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 188 W, Numero di transistor: 4, MPN: NXH80T120L3Q0S3G
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Onsemi Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 75 A, Q0PACK - Contenitore 180AB (senza Piombo E Alogenuro)
Specifications of Onsemi Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 75 A, Q0PACK - Contenitore 180AB (senza Piombo E Alogenuro) | |
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