Infineon IGBT, VCE 650 V, IC 30 A, canale N, TO-247-3-HCC, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 95 W, Numero di transistor: 1, Configurazione: Single, Tipo di montaggio: Su foro, Configurazione transistor: Singolo, MPN: IKWH30N65WR5XKSA1
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Infineon IGBT, VCE 650 V, IC 30 A, Canale N, TO-247-3-HCC
Specifications of Infineon IGBT, VCE 650 V, IC 30 A, Canale N, TO-247-3-HCC | |
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