Infineon IGBT, VCE 650 V, IC 50 A, canale N, TO-247-3-HCC, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 103 W, Configurazione: Single, Tipo di montaggio: Su foro, Configurazione transistor: Singolo, MPN: IKWH50N65WR6XKSA1
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Infineon IGBT, VCE 650 V, IC 50 A, Canale N, TO-247-3-HCC
Specifications of Infineon IGBT, VCE 650 V, IC 50 A, Canale N, TO-247-3-HCC | |
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