Infineon IGBT, VCE 1200 V, IC 50 A, canale N, TO247AC, Tensione massima gate emitter: ±30V, Dissipazione di potenza massima: 180 W, Tipo di montaggio: Su foro, Configurazione transistor: Singolo, Lunghezza: 15.87mm, Larghezza: 5.31mm, Altezza: 20.7mm, Dimensioni: 15.87 x 5.31 x 20.7mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: IRG7PH35UDPBF
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Infineon IGBT, VCE 1200 V, IC 50 A, Canale N, TO247AC
Specifications of Infineon IGBT, VCE 1200 V, IC 50 A, Canale N, TO247AC | |
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